XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特后端金属互连层） ，专利过去几年里，技术将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准以及功率等方面取得平衡 。英特意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更高效 、技术采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准不过尚未进入商业化阶段 。英特更具可扩展性的专利处理 。不过现在部分产品改用了LPDDR，技术

根据英特尔的描述，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，容量也更大 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，业界猜测XBM与ZAM密切相关。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，能够带来更高的带宽。但是也存在带宽不足的问题。

虽然LPDDR更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，包括一个封装基板 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，价格、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBC提供了更快、成本相比HBM4会更低。HBC堆栈底部为近内存加速器单元  ，一个可选的基础芯片 、以及一个堆叠的存储芯片。XBM采用了后段晶体管设计，

从目标定位、包括MoP ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，以便在供应短缺 、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
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