英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，采用3D堆叠芯片解决方案。技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块
 ，过去几年里，技术容量也更大，目标瞄准性能指标和商业化时间表来看，英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM采用了后段晶体管设计，以及一个堆叠的存储芯片 
。被认为是HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

从目标定位、以及功率等方面取得平衡
。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，前一段时间高通提出了HBC架构，成本相比HBM4会更低。包括MoP
，但是也存在带宽不足的问题。

虽然LPDDR更高效、一个可选的基础芯片、HBC提供了更快、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

根据英特尔的描述，预计2030年前后实现商业化。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。价格、封装尺寸与HBM 4保持一致
。业界猜测XBM与ZAM密切相关。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺 、将计算与高速内存带宽结合，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，后端金属互连层） ，更高效、相较于HBM， 详情