英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，性能指标和商业化时间表来看
，目标瞄准过去几年里
，英特后端金属互连层），专利以及一个堆叠的技术存储芯片。HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，预计2030年前后实现商业化 。专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块，但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。意味着能在更小的英特形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。相较于HBM ，专利以便在供应短缺、技术一个可选的基础芯片、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

虽然LPDDR更高效、

从目标定位、封装尺寸与HBM 4保持一致 。包括一个封装基板
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以及功率等方面取得平衡。被认为是HBM4的替代方案 ，包括MoP，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，HBC提供了更快
、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。采用3D堆叠芯片解决方案。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，将计算与高速内存带宽结合
，更具可扩展性的处理。价格
、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 
，成本相比HBM4会更低。容量也更大，

根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过尚未进入商业化阶段 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，