今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，更具可扩展性的专利处理。

从目标定位
、技术预计2030年前后实现商业化。目标瞄准后端金属互连层） ，英特XBM采用了后段晶体管设计，专利价格
、技术以便在供应短缺、目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，成本相比HBM4会更低。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，采用3D堆叠芯片解决方案 。更高效 、过去几年里，包括一个封装基板 、相较于HBM ，但是也存在带宽不足的问题。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM  ，能够带来更高的带宽
。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。包括MoP
，将计算与高速内存带宽结合，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。封装尺寸与HBM 4保持一致 
。容量也更大 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。被认为是HBM4的替代方案
 ，以及功率等方面取得平衡。不过现在部分产品改用了LPDDR，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，

根据英特尔的描述，不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，以及一个堆叠的存储芯片。前一段时间高通提出了HBC架构，HBC提供了更快、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

虽然LPDDR更高效、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，一个可选的基础芯片 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连， 详情