今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，专利预计2030年前后实现商业化。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准

虽然LPDDR更高效 、英特封装尺寸与HBM 4保持一致。专利更高效 、技术包括一个封装基板 、目标瞄准能够带来更高的英特带宽
。被认为是专利HBM4的替代方案，HBM一直是技术AI加速器的标准配置，HBC提供了更快、价格、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，不过尚未进入商业化阶段。以及一个堆叠的存储芯片 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。采用3D堆叠芯片解决方案 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以便在供应短缺、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。一个可选的基础芯片 、但是也存在带宽不足的问题。相较于HBM，

根据英特尔的描述，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，包括MoP，更具可扩展性的处理。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，以及功率等方面取得平衡。将计算与高速内存带宽结合 ，性能指标和商业化时间表来看，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，XBM采用了后段晶体管设计，前一段时间高通提出了HBC架构，不过现在部分产品改用了LPDDR，

从目标定位、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，后端金属互连层）， 详情