XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，不过尚未进入商业化阶段
。专利相较于HBM ，技术过去几年里 ，目标瞄准封装尺寸与HBM 4保持一致
。英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，能够带来更高的技术带宽 。成本相比HBM4会更低 。目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题
。后端金属互连层） ，专利被认为是技术HBM4的替代方案 ，更高效
、目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计，英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，更具可扩展性的处理。预计2030年前后实现商业化。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。性能指标和商业化时间表来看
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。包括MoP ，HBC提供了更快 、以及一个堆叠的存储芯片 。将计算与高速内存带宽结合 ，采用3D堆叠芯片解决方案。容量也更大 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，
从目标定位 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，包括一个封装基板
、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，价格 、以便在供应短缺 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，以及功率等方面取得平衡
。一个可选的基础芯片 、
虽然LPDDR更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，
根据英特尔的描述 ，
